Реферат электронно дырочный переход

by МилованPosted on

Режим электрического пробоя p-n-перехода находит практическое применение для стабилизации напряжения. Контакты Ответы на вопросы FAQ. Динамическое равновесие процессов диффузии и дрейфа в электронно-дырочном переходе. Диффузионная емкость представляет собой отношение приращения инжекционного заряда dQ инж к вызвавшему его изменению напряжения dU пр , т. Обратное включение р-п-перехода При включении p - n перехода в обратном направлении рис. Между электронной и дырочной областями рассматриваемой полупроводниковой структуры всегда существует тонкий переходный слой, обладающий особыми свойствами. Резкую асимметрию вольт-амперной характеристики р-n-перехода широко используют для выпрямления переменного тока низкой частоты.

Барьерная емкость. Диффузионная емкость. Типы электропреобразовательных полупроводниковых диодов и их применение в технике. Выпрямительные диоды Высокочастотные диоды Импульсные диоды. Полупроводниковые стабилитроны.

Библиографический список: Введение. Были дырочный переход первые приборы на их основе. Учитывая природу организмов и электронно связь с окружающей средой Сеченов раскрыл особенности развития психических процессов в онтогенезе человека и в эволюции животного мира в реферат. Дипломная Переход к системам с плавным регулированием напряжения 6. Этого можно добиться путем разработки и внедрения системы плавного регулирования напряжения на тяговых электродвигателях. Существующая система регулирования напряжения на электроподвижном составе однофазного постоянного тока позволяет регулировать напряжение ступенями, что в свою очередь негативно сказывается на реализации сил тяги и комфорта перевозок.

Курсовая Исследование спектральных характеристик интерференционных просветляющих покрытий синтезированных электронно-лучевым методом 7.

При синтезе многослойных интерференционных покрытий также необходим учет дисперсии показателей преломления и поглощения плёнкообразующих веществ.

Процессы генерации и рекомбинации носителей в запирающем слое оказывают существенное влияние на вид вольтамперной характеристики. Другой причиной роста обратного тока диода является поверхностная проводимость электронно-дырочного перехода, обусловленные молекулярными и ионными пленками различного происхождения, покрывающими выходящую наружу поверхность перехода. В то же время потоки неосновных носителей не изменяются для них барьера не существует. Варикап — это полупроводниковый диод, применяемый в качестве электрического конденсатора, управляемого напряжением.

Возможность варьировать не только толщину слоя но и его показатель преломления является дополнительной степенью свободы при проектировании оптических покрытий. Решение её при создании покрытий работающих в широком спектральном Курсовая Состав преступления, совершенного в состоянии аффекта Социальная и психологическая сущность убийства в состоянии аффекта. Состав преступления совершенного в состоянии аффекта.

Объект убийства совершенного в состоянии аффекта. Доклад Гоббс о догосударственном состоянии. Законы и общественный договор 8. Гоббса содержится прежде всего в его трудах: Философское начало учения о гражданине Левиафан или Материя форма и власть государства церковного и гражданского Гоббс кладет определенное представление о природе индивида.

Гоббс называет естественным состоянием рода человеческого. Курсовая Уголовно-правовая характеристика преступлений, совершенных в состоянии аффекта Курсовая Философская проблематика равновесия мира Тема эта весьма глубокая и обширная затрагивающая многие направления развития Космоса. Теория ноосферного развития на первый план в равновесии мира выдвигает развитие сознания человека экологию мысли обеспечение гармонии и ритма пространства сохранение целесообразности.

Попытки определить равновесие мира проводит современная классическая наука формулируя это направление понятием устойчивого развития.

Лекция Устойчивость равновесия деформируемых систем Деформация изгиба стержня предположена весьма малой поэтому для определения критической силы можно воспользоваться приближенным дифференциальным уравнением изогнутой оси стержня Переход от средневековья к Возрождению. Творчество Данте. Переход от дарвинизма к синтетической теории эволюции.

Следовательно фагоцитоз при воспалении и инфекции можно рассматривать реферат электронно дырочный переход производное от ранее основной функции реферат электронно дырочный переход сложившейся в ходе длительной эволюции.

Переход к системам с плавным регулированием напряжения.

Управление осуществляется постоянным током, разделение ВЧ и управляющего сигнала с помощью конденсаторов и индуктивностей. А также изложения, сочинения по литературе, отчеты по практике, топики по английскому. Формула Эйлера для критической силы центрально сжатого стержня с шарнирно закрепленными концами. Разделы Главная Список рефератов Карта сайта Контакты. Тема эта весьма глубокая и обширная затрагивающая многие направления развития Космоса.

Основным направлением в развитии железнодорожного транспорта является увеличение провозной способности и повышение комфорта перевозок пассажиров, а также снижение расхода электроэнергии. Исследование спектральных характеристик интерференционных просветляющих покрытий синтезированных электронно-лучевым методом. Для их реализации требуются прозрачные оптические плёнки с различными коэффициентами преломления и минимальным коэффициентом поглощения в требуемой области спектра.

Состав преступления, совершенного в состоянии аффекта.

Реферат электронно дырочный переход 8446

Хотя концентрация таких дырок неосновных носителей в n-области чрезвычайно мала по сравнению с концентрацией электронов основных носителейони играют важную роль в переносе тока через переход. Это происходит потому, что каждая дырка, попадающая в обеднённый слой, тут же перебрасывается в p-область под действием сильного электрического поля, которое имеется внутри слоя.

В результате величина возникающего тока генерации не зависит от значения изменения потенциала в обеднённом слое, поскольку любая дырка, оказавшаяся в слое, перебрасывается из n-области в p-область.

Ток рекомбинации, то есть дырочный ток, текущий из p-области в n-область. Реферат электронно дырочный переход поле в обеднённом слое препятствует этому току, и только те дырки, которые попадают на границу обеднённого слоя, имея достаточную кинетическую энергию, чтобы преодолеть потенциальный барьер, вносят вклад в ток рекомбинации.

В отличие от тока генерации, ток рекомбинации чрезвычайно чувствителен к величине приложенного напряжения V. Полный дырочный ток, текущий из p-области в n-область, представляет собой разность между токами рекомбинации и генерации:. Аналогичное рассмотрение применимо к компонентам электронного тока с тем только изменением, что токи генерации и рекомбинации электронов направлены противоположно соответствующим дырочным токам.

Поскольку электроны имеют противоположный заряд, электрические токи генерации и рекомбинации электронов совпадают по направлению с электрическими токами генерации и рекомбинации дырок. Электрод диода, подключённый к положительному полюсу источника тока, когда диод открыт то есть имеет маленькое сопротивлениеназывают анодом, подключённый к отрицательному полюсу — катодом.

В результате дырочная область приобретает отрицательный потенциал относительно электронной области и в переходном слое создается электрическое поле, вызывающее дрейфовый ток. Но при отсутствии внешнего поля результирующий ток в полупроводнике должен быть равен нулю, это условие динамического равновесия процессов в переходе.

Следовательно, диффузионный ток в переходе, вызываемый градиентом концентрации носителей заряда, должен реферат электронно дырочный переход встречным дрейфующим током, обусловленным напряженностью собственного электрического поля E в переходе:.

Тамплиеры доклад по истории66 %
Реферат про город чебоксары37 %
Исследование микроклимата в рабочей зоне реферат71 %

Наличие этих градиентов в p-n-переходе обуславливает существенное отличие его электрофизических свойств от свойств, прилегающих к нему p- и n-областей. Энергетическая диаграмма электронно-дырочного перехода. Энергетические диаграммы уединенных p- и n-областей полупроводника показаны на рисунке. В переход уровень Ферми W Fp смещен в сторону валентной зоны, а в n-области уровень Ферми Договор курсовая работа Fn — в сторону зоны проводимости.

Поскольку расположение энергетических зон относительно уровня Ферми в каждой из областей дырочной и электронной фиксировано, из постоянства энергии уровня Ферми по всей p-n-структуре вытекает, что реферат зоны, а также зоны проводимости p- и n-областей должны быть смещены относительно друг друга на величину W Fn - Электронно дырочный Fp. Из условий динамического равновесия процессов диффузии и дрейфа носителей заряда в p-n-переходе следует, что разность минимальных энергий электронов проводимости в p- и n-областях p-n-структуры W cn — W cp должна быть равнатак же как и разность энергий дырок, поэтому можно записать:.

Концентрация электронов в зоне проводимости n-области выше, чем в p-области, так как минимальная их энергия здесь ниже на величинучем в зоне проводимости p-области.

[TRANSLIT]

Аналогично, концентрация дырок в валентной зоне p-области выше, чем в валентной зоне n-области. Непосредственно в области перехода энергетические уровни, как в зоне проводимости, так и в валентной зоне расположены наклонно, что свидетельствует о наличии градиента потенциала, а, следовательно, и электрического поля, которое выталкивает подвижные носители заряда из перехода.

По этой причине концентрация электронов и дырок в переходе очень низка. Полупроводниковым диодом называется двух электродный прибор, реферат электронно дырочный переход которого составляет p-n-структура, состоящая из областей p-типа и n-типа, разделенных электронно-дырочным переходом рис.

Реферат: Электронно-дырочный переход

База эмиттер с помощью электродов Эобразующих омические переходы, соединяются с выводами Впосредством которых диод включается в электрическую цепь. Основным структурным элементом полупроводникого диода, определяющим его функциональные свойства, является p-n-переход — тонкий промежуточный слой между p- и n-областями.

Статические вольтамперные характеристики диода. Статическая вольтамперная характеристика полупроводникового диода показана на рис.

Реферат электронно дырочный переход 869979

Здесь же пунктиром нанесена теоретическая вольтамперная характеристика электронно-дырочного перехода. Для наглядности обратная ветвь характеристики изображена в более крупном масштабе по току и в более мелком — по напряжению по сравнению с прямой ветвью.

Реферат электронно дырочный переход 93

В области малых токов реальная и теоретическая характеристики совпадают. Но при больших прямых токах, а также при высоких обратных напряжениях характеристики расходятся, что является следствием ряда причин, реферат электронно дырочный переход учтенных при теоретическом анализе процессов в электронно-дырочном переходе. В области больших прямых токов вследствие значительного падения напряжения на распределенном сопротивлении базы диода и сопротивлении электродов напряжение на электронно-дырочном переходе будет меньше напряжения U, приложенного к диоду, в результате чего реальная характеристика оказывается расположенной ниже теоретической и почти линейной.

При повышении обратного напряжения обратный ток диода не остается постоянным, а медленно увеличивается. Одной из причин роста обратного тока диода является термическая генерация носителей зарядов в переходе. Составляющую обратного тока через переход, которая зависит от числа генерируемых в переходе в единицу времени носителей заряда, условимся называть термотоком перехода I T.

p-n переход

С повышением обратного напряжения вследствие расширения перехода увеличивается его объем, поэтому число генерируемых реферат электронно дырочный переход переходе носителей заряда и термоток перехода возрастают. Другой причиной роста обратного тока диода является поверхностная проводимость электронно-дырочного перехода, обусловленные молекулярными и ионными пленками различного происхождения, покрывающими выходящую наружу поверхность перехода.

В современных диода поверхность перехода специально обрабатывают и защищают от внешних воздействий, поэтому ток утечки всегда существенно меньше термотока.

Когда обратное напряжение диода достигает определенного критического значения, ток диода начинает резко возрастать. Различают два основных вида пробоя электронно-дырочного перехода: электрический и тепловой. По этой причине концентрация электронов и дырок в переходе очень низка.

В обоих случаях резкий рост тока связан с увеличением числа носителей заряда в переходе.

Реферат «Электронно-дырочный переход» по Общей электротехнике и электронике (Михайлова О. М.)