П н переход реферат

by caycumdiherPosted on

Такой переход называется эпитаксиальным [3]. Уровнем Ферми называется энергия уровня, отделяющего занятые уровни от свободных. Выберите раздел: Болезни и микробы. Статическая вольтамперная характеристика полупроводникового диода показана на рис. Подтип Бесчерепные. Временные диаграммы тока и выходного напряжения идеального ключа.

Поделись с друзьями:. Все рефераты по физике. Посмотреть все рефераты. Полупроводниковые диоды и применение их в технике. Преподаватель: Папушина Т. Студент: Вакулина Е.

Группа: С Екатеринбург Содержание.

П н переход реферат 9829

Полупроводники как особый класс веществ, были известны еще с конца XIX века, только развитие теории твердого тела позволила понять их особенность задолго до этого были обнаружены:. Были построены первые приборы на их основе. Лосев доказал возможность использования контактов полупроводник-металл для усиления и генерации колебаний кристаллический детектор. Однако в последующие годы кристаллические детекторы были вытеснены электронными лампами и лишь в начале 50 - х годов с открытием транзисторов США год началось широкое применение полупроводников главным образом германия и кремния в радиоэлектронике.

p-n переход

Одновременно началось интенсивное изучение свойств полупроводников, чему способствовало совершенствование методов очистки кристаллов и их легированию введение в полупроводник определенных примесей. Интерес к оптическим свойствам полупроводников возрос в связи с открытием вынужденного излучения в полупроводниках, что привело к созданию полупроводниковых лазеров вначале на p - n - переходе, а затем на гетеропереходах.

В последнее время большее распространение получили приборы, основанные на действии полупроводников. Эти п н переход реферат стали изучать сравнительно недавно, однако без них уже не может обойтись ни современная электроника, ни медицина, ни многие другие науки. Рассмотрим подробнее принцип действия, типы и применение в технике полупроводниковых диодов. Электронно-дырочный переход Рассмотрим неоднородный полупроводник, одна часть которого имеет электронную электропроводность, а другая — дырочную.

При этом речь идет не о простом контакте двух различных полупроводников, а о едином монокристалле, у которого одна область легирована акцепторной примесью, а другая — донорной. Клеточная инженерия. Выберите раздел: Биомолекулы.

4104197

Общие темы. Выберите раздел: Альгология.

Реферат кормление сельскохозяйственных животных коровОтчет по практике в авиакомпании
Музыка зеркало души рефератДоклад на тему спорт в школе

Морфология растений. Физиология растений. Выберите раздел: Генетика человека.

5427397

Медицинская генетика. Популяционная генетика. Выберите раздел: Клетки тела человека. Ткани организма. Выберите раздел: Класс Земноводные Амфибии. Класс Млекопитающие.

PN - переход. Зонная структура pn перехода

Класс Пресмыкающиеся Рептилии. Класс Птицы. Подтип Бесчерепные. Строение и жизнедеятельность животных. Тип Моллюски. Тип Хордовые.

Черви Плоские, Круглые, Кольчатые. Физические основы полупроводниковых приборов. Объявления о помощи. Скрытые категории: Википедия:Статьи без ссылок на источники Википедия:Статьи без источников тип: не указан Википедия:Статьи к доработке по физике. Экономическая география.

Тип Членистоногие. Типы Губки и Кишечнополостные. Черви Плоские, Круглые, Кольчатые. Выберите раздел: Грибы. Морфология грибов. Физиология грибов. Медицинская микробиология. Выберите раздел: Адаптация организма. Биологические жидкости. Биологические циклы и ритмы.

Электронно-дырочный переход

Патологические процессы. Поведение человека. Физиологические процессы. Физиология нервной системы. Физиология репродуктивной системы. Выберите раздел: Белки. Клеточные процессы. Температурное свойство p-n перехода показывает, как изменяется работа p-n перехода при изменении температуры. На p-n переход в значительной степени влияет нагрев, в очень малой степени — охлаждение.

При увеличении температуры увеличивается терм генерация носителей заряда, что приводит к увеличению как прямого, так и обратного тока. Частотные п н переход реферат p-n перехода показывают, как работает p-n переход при подаче на него переменного напряжения высокой частоты. Частотные свойства p-n перехода определяются двумя видами ёмкости перехода.

Она называется зарядной, или барьерной ёмкостью. В этом случае при обратном включении через эту ёмкость потечёт достаточно большой обратный ток, и p-n переход потеряет свойство односторонней проводимости.

Отправить на другой номер?

Сообщите промокод во время разговора с менеджером. Промокод можно применить один раз при первом заказе. Тип работы промокода - " дипломная работа ". Проверила: Сагдаткиреева М. Уфа — Изучение свойств p-n перехода Приборы и принадлежности: измерительное устройство, объекты исследования диоды. Цель работы: 1 Изучение свойств p-n перехода.

Краткая теория. Структура p-n перехода араспределение примесной б В состоянии термодинамическое равновесия концентрации основных и неосновных п н переход реферат связаны законом действующих масс: 1 где - концентрация собственных носителей тока. Энергетическая диаграмма p-n перехода в условиях равновесия приведена на рис 2. Рис 2. Энергетическая диаграммы p-n перехода в условиях равновесия.

Величина контактной разности потенциалов на переходе будет равна где e- заряд электрона. Рис 3. Запирающее включение внешнего поля. Ее максимальное значение определяется шириной запрещенной зоны полупроводникив 4 Если приложить к полупроводнику внешнее поле, направление которого совпадает с полем контактного слоя, основные носители тока уходят от границы p-n перехода.

На Рис.

П н переход реферат 161

Рис6 Вольтамперная характеристика p-n перехода Когда к n-облети присоединяют положительный полюс источника, p-n переход пропускают только малый ток неосновных носителей.

При включении в цепь переменного тока p-n переходы действуют как п н переход реферат. Рис7 Условное обозначение полупроводникового диода Простейшие схемы выпрямления переменного тока показаны на рис8. Схемы простейших выпрямителей на полупроводниковых диодах Вследствии односторонней проводимости полупроводникового диода ток в нагрузочном сопротивлении R Рис8 а протекает только в те полупериоды, когда p-n переход работает в пропускном направлении.

Рис 10 Вольтфарадная характеристика p-n перехода. Рис11 Определение концентрации примесей по вольтфарадной характеристике. Значения напряжения и тока для прямого режима. Похожие рефераты:. Зонная теория твердых тел Исследование металлов, хорошо проводящих электрический ток. Полупроводники - твердые тела с промежуточной электропроводностью.

Турция в средние века. Выпрямление тока. Лосев доказал возможность использования контактов полупроводник-металл для усиления и генерации колебаний кристаллический детектор.

Проявление различия полупроводников и металлов в характере зависимости электропроводности от температуры. Уравнение Шредингера. Изучение работы полевого транзистора Принцип работы полевого транзистора. Стоковые характеристики транзистора.

В полупроводнике n -типакоторый получается посредством донорной примеси, концентрация электронов намного превышает концентрацию дырок. Как следствие, вблизи границы между областями практически не будет свободных подвижных основных носителей заряда, но останутся ионы примесей с некомпенсированными зарядами [1].

Область в полупроводнике p -типа, которая примыкает к границе, получает при этом отрицательный заряд, приносимый электронами, а пограничная область в полупроводнике n -типа получает положительный заряд, приносимый дырками точнее, теряет уносимый электронами отрицательный заряд.

Таким образом, на границе полупроводников образуются два слоя с пространственными зарядами противоположного знака, порождающие в переходе электрическое поле.

Это поле вызывает дрейфовый ток в направлении, противоположном диффузионному току. В конце концов, между диффузионным и дрейфовым токами устанавливается динамическое равновесие п н переход реферат, и изменение пространственных зарядов прекращается.

Сколько стоит написать твою работу?

Обеднённые области с неподвижными пространственными зарядами и называют p-n -переходом [2]. Если к слоям полупроводника приложено внешнее напряжение так, что создаваемое им электрическое поле направлено противоположно существующему в переходе полю, то динамическое равновесие нарушается, и диффузионный ток преобладает над дрейфовым током, быстро нарастая с повышением напряжения.

Такое подключение напряжения к p-n -переходу называется прямым смещением на область p -типа подан положительный потенциал относительно области n -типа. Если внешнее напряжение приложить так, чтобы созданное им поле было одного направления с полем в п н переход реферат, то это приведёт лишь к увеличению толщины слоёв пространственного заряда.

Диффузионный ток уменьшится настолько, что преобладающим станет малый дрейфовый ток.